成膜室	成膜室		概略寸法	円筒横型　　Φ250×H450
			表面処理	超高真空対応処理
	排気系			TMP+RP(ドライポンプ）
	到達圧力			10-4Pa以下
	基板加熱・冷却機構		加熱温度	300℃（仕様変更可能）
	蒸発源		Wボート	6台
	膜圧モニター			1台
	基板搬入出扉はグローブBOX内にあります。 基板搬送はグローブBOX内に設置された搬送機構で行われます。